FDP3652 ON Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP3652 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP3652 за ціною від 54.19 грн до 219.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP3652 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP3652 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V 61a 0.016 Ohm |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP3652 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDP3652 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDP3652 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDP3652 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDP3652 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDP3652 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |