Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP3652
FDP3652

FDP3652 ON Semiconductor

3672715905115303fdp3652-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP3652 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP3652 за ціною від 53.9 грн до 130.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP3652 FDP3652 Виробник : onsemi / Fairchild FDP3652_D-2312532.pdf MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.23 грн
10+ 106.34 грн
100+ 73.98 грн
250+ 68.03 грн
500+ 62.02 грн
1000+ 53.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP3652 Виробник : ONSEMI fdp3652-d.pdf FAIRS45688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDP3652 THT N channel transistors
товар відсутній
FDP3652 FDP3652 Виробник : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3652 FDP3652 Виробник : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3652 FDP3652 Виробник : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP3652 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS45688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній