Продукція > ONSEMI > FDP42AN15A0
FDP42AN15A0

FDP42AN15A0 onsemi

FDP42AN15A0-D.PDF Виробник: onsemi
MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.46 грн
10+115.46 грн
100+90.64 грн
500+73.91 грн
1000+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP42AN15A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP42AN15A0 за ціною від 59.13 грн до 59.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP42AN15A0 Виробник : ON-Semiconductor FDP42AN15A0-D.PDF Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0
Код товару: 111207
Додати до обраних Обраний товар

FDP42AN15A0-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 Виробник : ON Semiconductor fdp42an15a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 Виробник : onsemi FDP42AN15A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.