FDP42AN15A0 ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.107Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 207.30 грн |
| 5+ | 151.66 грн |
| 10+ | 132.49 грн |
| 50+ | 107.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP42AN15A0 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP42AN15A0 за ціною від 59.40 грн до 248.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP42AN15A0 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP42AN15A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB Mounting: THT Gate charge: 39nC On-state resistance: 0.107Ω Gate-source voltage: ±20V Drain current: 24A Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 150V Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP42AN15A0 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
FDP42AN15A0 Код товару: 111207
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
FDP42AN15A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FDP42AN15A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |


