Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP4D5N10C
FDP4D5N10C

FDP4D5N10C ON Semiconductor

fdp4d5n10c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP4D5N10C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDP4D5N10C за ціною від 190.64 грн до 430.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP4D5N10C FDP4D5N10C Виробник : onsemi FDP4D5N10C_D-2312596.pdf MOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.29 грн
10+310.60 грн
50+219.45 грн
100+202.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10C FDP4D5N10C Виробник : onsemi fdp4d5n10c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.78 грн
50+236.46 грн
100+218.47 грн
500+190.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10C Виробник : Aptina Imaging fdp4d5n10c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+212.24 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10C Виробник : ONSEMI FDP4D5N10C-D.PDF Description: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+277.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10C Виробник : ON Semiconductor fdp4d5n10c-d.pdf
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10C FDP4D5N10C Виробник : ON Semiconductor fdp4d5n10c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10C FDP4D5N10C Виробник : ON Semiconductor fdp4d5n10c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10C Виробник : ON Semiconductor fdp4d5n10c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10C Виробник : ONSEMI fdp4d5n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 150W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 150W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.