Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP51N25
FDP51N25

FDP51N25 ON Semiconductor

3944860003935757fdpf51n25rdtu-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP51N25 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDP51N25 за ціною від 87.33 грн до 249.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP51N25 FDP51N25 Виробник : ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.43 грн
5+144.14 грн
8+122.75 грн
10+120.38 грн
21+116.42 грн
50+113.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 Виробник : onsemi fdpf51n25rdtu-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.70 грн
50+103.97 грн
100+98.58 грн
500+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 Виробник : onsemi / Fairchild FDPF51N25RDTU_D-2313057.pdf MOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.16 грн
10+180.11 грн
100+133.05 грн
500+112.52 грн
1000+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 Виробник : ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.51 грн
5+179.62 грн
8+147.30 грн
10+144.45 грн
21+139.70 грн
50+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.89 грн
10+110.02 грн
100+109.17 грн
500+98.99 грн
1000+89.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 Виробник : ON-Semicoductor fdpf51n25rdtu-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 Виробник : ON Semiconductor 3944860003935757fdpf51n25rdtu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.