Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDP51N25
FDP51N25

FDP51N25 ON-Semiconductor

TFDP51n25_0026.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+114.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP51N25 ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDP51N25 за ціною від 82.28 грн до 295.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDP51N25 FDP51N25 onsemi fdpf51n25rdtu-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.77 грн
50+97.96 грн
100+92.89 грн
500+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 onsemi / Fairchild FDPF51N25RDTU_D-2313057.pdf MOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.15 грн
10+163.18 грн
100+120.54 грн
500+101.94 грн
1000+86.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.90 грн
5+147.58 грн
10+131.00 грн
50+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 ONSEMI ONSM-S-A0003584303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.73 грн
10+192.87 грн
100+147.06 грн
500+114.17 грн
1000+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
FDP51N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.77 грн
50+97.96 грн
100+92.89 грн
500+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDPF51N25RDTU_D-2313057.pdf
FDP51N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.15 грн
10+163.18 грн
100+120.54 грн
500+101.94 грн
1000+86.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
FDP51N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+225.90 грн
5+147.58 грн
10+131.00 грн
50+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 ONSM-S-A0003584303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP51N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+295.73 грн
10+192.87 грн
100+147.06 грн
500+114.17 грн
1000+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.