FDP52N20


FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
Код товару: 129721
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP52N20 за ціною від 65.51 грн до 256.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDP52N20 FDP52N20 ON-Semiconductor info-tfdp52n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+106.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 onsemi FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
50+95.14 грн
100+92.21 грн
500+70.25 грн
1000+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 onsemi / Fairchild 32A441124C09B93908095C99E8FB60179A2FBCBE4487261F057C799743D542B2.pdf MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+102.41 грн
100+83.53 грн
500+68.90 грн
1000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 ONSEMI ONSM-S-A0013339334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.92 грн
10+166.72 грн
100+128.06 грн
500+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 info-tfdp52n20.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+106.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.72 грн
50+95.14 грн
100+92.21 грн
500+70.25 грн
1000+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 32A441124C09B93908095C99E8FB60179A2FBCBE4487261F057C799743D542B2.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.49 грн
10+102.41 грн
100+83.53 грн
500+68.90 грн
1000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 ONSM-S-A0013339334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+256.92 грн
10+166.72 грн
100+128.06 грн
500+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.