Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP52N20

FDP52N20

FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
Код товару: 129721
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP52N20 за ціною від 65.97 грн до 241.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP52N20 FDP52N20 ON-Semiconductor info-tfdp52n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 onsemi FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.04 грн
50+95.81 грн
100+92.86 грн
500+70.75 грн
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 ON Semiconductor fdp52n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+240.38 грн
107+132.46 грн
119+119.33 грн
500+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 ON Semiconductor fdp52n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.64 грн
10+133.16 грн
100+119.95 грн
500+92.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 ONSEMI ONSM-S-A0013339334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 onsemi / Fairchild 32A441124C09B93908095C99E8FB60179A2FBCBE4487261F057C799743D542B2.pdf MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 info-tfdp52n20.pdf
FDP52N20
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
FDP52N20
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.04 грн
50+95.81 грн
100+92.86 грн
500+70.75 грн
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 fdp52n20-d.pdf
FDP52N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+240.38 грн
107+132.46 грн
119+119.33 грн
500+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 fdp52n20-d.pdf
FDP52N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+241.64 грн
10+133.16 грн
100+119.95 грн
500+92.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 ONSM-S-A0013339334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP52N20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 32A441124C09B93908095C99E8FB60179A2FBCBE4487261F057C799743D542B2.pdf
FDP52N20
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.