Інші пропозиції FDP52N20 за ціною від 92.15 грн до 311.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP52N20 | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP52N20 | onsemi |
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET |
на замовлення 6781 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP52N20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 357W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 104.60 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 147.13 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 171.62 грн |
| 100+ | 154.91 грн |
| 500+ | 147.41 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 171.62 грн |
| 100+ | 154.91 грн |
| 500+ | 147.41 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 222.23 грн |
| 250+ | 208.82 грн |
| 500+ | 169.74 грн |
| 1000+ | 159.37 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.07 грн |
| 9+ | 112.24 грн |
| 24+ | 106.46 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 282.30 грн |
| 10+ | 179.23 грн |
| 50+ | 139.37 грн |
| 100+ | 118.76 грн |
| 500+ | 97.65 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.18 грн |
| 10+ | 194.28 грн |
| 100+ | 126.52 грн |
| 500+ | 105.31 грн |
| 1000+ | 98.00 грн |
| 2500+ | 92.15 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 309.10 грн |
| 85+ | 169.16 грн |
| 86+ | 167.46 грн |
| 100+ | 148.21 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 311.49 грн |
| 10+ | 170.47 грн |
| 50+ | 168.76 грн |
| 100+ | 149.36 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






