FDP52N20 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.25 грн |
| 50+ | 95.41 грн |
| 100+ | 92.47 грн |
| 500+ | 70.45 грн |
| 1000+ | 65.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP52N20 onsemi
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDP52N20 за ціною від 67.84 грн до 272.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP52N20 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET |
на замовлення 7663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP52N20 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP52N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP52N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP52N20 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FDP52N20 | Виробник : ONSEMI |
FDP52N20 THT N channel transistors |
на замовлення 158 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
FDP52N20 Код товару: 129721
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
FDP52N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |