FDP55N06 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP55N06 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.
Інші пропозиції FDP55N06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP55N06 | onsemi / Fairchild |
MOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDP55N06 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH
MOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)