FDP5800 Fairchild
Код товару: 60606
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDP5800 за ціною від 71.83 грн до 231.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP5800 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP5800 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V N-Ch Logic Level MOSFET |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP5800 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 242mW Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|