FDP6035AL Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 106637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 97.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP6035AL Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDP6035AL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP6035AL | Виробник : FAIRCHID |
99+ |
на замовлення 2068 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDP6035AL | Виробник : FAIRCHILD |
07+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDP6035AL | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
товар відсутній |
|
 |
FDP6035AL | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
 |
FDP6035AL | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level |
товар відсутній |