Інші пропозиції FDP61N20 за ціною від 78.97 грн до 257.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP61N20 | Виробник : ON-Semiconductor |
 Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP61N20 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP61N20 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP61N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP61N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP61N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP61N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP61N20 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Channel MOSFET |
на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP61N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP61N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP61N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP61N20 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP61N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDP61N20 | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |