Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP61N20

FDP61N20

fdp61n20-d.pdf
Код товару: 150150
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP61N20 за ціною від 78.59 грн до 251.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP61N20 FDP61N20 ON-Semiconductor info-tfdp61n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON-Semiconductor info-tfdp61n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON Semiconductor fdp61n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+123.81 грн
100+122.96 грн
500+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON Semiconductor fdp61n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+123.81 грн
115+122.96 грн
500+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON Semiconductor fdp61n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.12 грн
500+132.89 грн
1000+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON Semiconductor fdp61n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.12 грн
500+132.89 грн
1000+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON Semiconductor fdp61n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.12 грн
500+132.89 грн
1000+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON Semiconductor fdp61n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.01 грн
112+126.04 грн
113+125.07 грн
500+113.25 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON Semiconductor fdp61n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.91 грн
10+126.91 грн
100+125.94 грн
500+113.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON Semiconductor fdp61n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.73 грн
250+166.02 грн
500+147.21 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ONSEMI FDP61N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 38.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.34 грн
10+148.11 грн
20+124.68 грн
50+110.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 onsemi fdp61n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.04 грн
50+122.17 грн
100+110.59 грн
500+84.71 грн
1000+78.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ONSEMI 2303835.pdf Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 onsemi fdp61n20-d.pdf MOSFETs 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 info-tfdp61n20.pdf
FDP61N20
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 info-tfdp61n20.pdf
FDP61N20
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+123.81 грн
100+122.96 грн
500+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+123.81 грн
115+122.96 грн
500+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.12 грн
500+132.89 грн
1000+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.12 грн
500+132.89 грн
1000+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.12 грн
500+132.89 грн
1000+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+143.01 грн
112+126.04 грн
113+125.07 грн
500+113.25 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.91 грн
10+126.91 грн
100+125.94 грн
500+113.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+183.73 грн
250+166.02 грн
500+147.21 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20.pdf
FDP61N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 38.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+188.34 грн
10+148.11 грн
20+124.68 грн
50+110.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.04 грн
50+122.17 грн
100+110.59 грн
500+84.71 грн
1000+78.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 2303835.pdf
FDP61N20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.