Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP61N20

FDP61N20

fdp61n20-d.pdf
Код товару: 150150
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP61N20 за ціною від 78.01 грн до 269.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDP61N20 FDP61N20 ON-Semiconductor info-tfdp61n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ON-Semiconductor info-tfdp61n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 onsemi / Fairchild fdp61n20-d.pdf MOSFETs 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.03 грн
10+103.21 грн
100+84.91 грн
250+82.15 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 onsemi fdp61n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
50+123.62 грн
100+111.81 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ONSEMI 2303835.pdf Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.00 грн
10+173.97 грн
100+133.70 грн
500+103.95 грн
1000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 info-tfdp61n20.pdf
FDP61N20
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 info-tfdp61n20.pdf
FDP61N20
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.03 грн
10+103.21 грн
100+84.91 грн
250+82.15 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+254.74 грн
50+123.62 грн
100+111.81 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 2303835.pdf
FDP61N20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+269.00 грн
10+173.97 грн
100+133.70 грн
500+103.95 грн
1000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.