
FDP6670AL Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 28285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
503+ | 44.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP6670AL Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDP6670AL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDP6670AL | Виробник : FAIRCHID |
![]() ![]() |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDP6670AL | Виробник : FAIRCHIL |
![]() ![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDP6670AL | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDP6670AL | Виробник : FSC |
![]() ![]() |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDP6670AL | Виробник : FSC |
![]() ![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FDP6670AL | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDP6670AL | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDP6670AL | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |