
FDP7030BL ON Semiconductor
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
26+ | 23.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP7030BL ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDP7030BL за ціною від 50.40 грн до 50.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP7030BL | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
на замовлення 72127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FDP7030BL | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDP7030BL | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 65 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 65 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
|||||
FDP7030BL | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
FDP7030BL | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDP7030BL | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
FDP7030BL | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |