Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP80N06

FDP80N06

fdp80n06-d.pdf
Код товару: 66797
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP80N06 за ціною від 128.36 грн до 128.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP80N06 FDP80N06 ON Semiconductor fdp80n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+128.36 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06 FDP80N06 ONSEMI ONSM-S-A0003584470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06 fdp80n06-d.pdf
FDP80N06
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+128.36 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06 ONSM-S-A0003584470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP80N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.