| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.97 грн |
| 10+ | 73.62 грн |
| 100+ | 49.40 грн |
| 500+ | 36.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP8440 UMW
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V.
Інші пропозиції FDP8440 за ціною від 192.25 грн до 192.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP8440 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V |
на замовлення 11109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FDP8440 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V |
на замовлення 25490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FDP8440 | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
FDP8440 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FDP8440 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench |
товару немає в наявності |


