Технічний опис FDP8447L onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: PowerTrench®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 60W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13.7mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 49nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDP8447L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP8447L | Виробник : ONSEMI |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
FDP8447L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V N-CH PowerTrench MOSFET |
товару немає в наявності |
|
|
|
FDP8447L | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |