FDP86363-F085 onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.61 грн |
| 10+ | 209.12 грн |
| 50+ | 133.07 грн |
| 100+ | 121.93 грн |
| 1000+ | 112.17 грн |
| 2500+ | 105.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP86363-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції FDP86363-F085 за ціною від 149.18 грн до 332.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP86363-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FDP86363-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 42400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
FDP86363_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNELVgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
товару немає в наявності |


