Продукція > ONSEMI > FDP86363-F085
FDP86363-F085

FDP86363-F085 onsemi


fdp86363_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.78 грн
10+ 190.52 грн
100+ 156.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP86363-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDP86363-F085 за ціною від 105.02 грн до 252.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP86363-F085 FDP86363-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDP86363_F085_D-2312839.pdf MOSFET N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.76 грн
10+ 224.84 грн
100+ 160.5 грн
500+ 136.73 грн
1000+ 114.93 грн
2500+ 108.98 грн
5000+ 105.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP86363-F085 Виробник : ON Semiconductor fdp86363_f085-d.pdf
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP86363-F085 FDP86363-F085 Виробник : ON Semiconductor fdp86363_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP86363_F085 FDP86363_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS47152-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
товар відсутній