FDP8860
Код товару: 215317
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDP8860 за ціною від 54.02 грн до 171.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP8860 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V |
на замовлення 14977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP8860 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP8860 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP8860 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP8860 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDP8860 | Виробник : ONN |
|
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
FDP8860 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FDP8860 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
товару немає в наявності |



