Технічний опис FDP8880 ON Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB, Mounting: THT, Case: TO220AB, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 48A, On-state resistance: 19mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 55W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDP8880
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP8880 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDP8880 Код товару: 113618
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||
 |
FDP8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 48A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
FDP8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 48A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |