Інші пропозиції FDP8880 за ціною від 46.78 грн до 56.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP8880 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V |
на замовлення 59064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDP8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDP8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 9936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDP8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDP8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 45280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDP8880 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FDP8880 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
FDP8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 48A Power dissipation: 55W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |




