| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 156.53 грн |
| 10+ | 96.71 грн |
| 100+ | 65.94 грн |
| 500+ | 49.52 грн |
| 1000+ | 45.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP8D5N10C UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDP8D5N10C за ціною від 79.21 грн до 180.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP8D5N10C | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP8D5N10C | onsemi |
MOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDP8D5N10C |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.00 грн |
| 50+ | 113.84 грн |
| 100+ | 109.30 грн |
| 500+ | 83.92 грн |
| FDP8D5N10C |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm
MOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.81 грн |
| 10+ | 121.99 грн |
| 100+ | 101.25 грн |
| 500+ | 83.35 грн |
| 800+ | 82.66 грн |
| 2400+ | 79.21 грн |
| FDP8D5N10C |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)