Продукція > UMW > FDP8D5N10C
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C UMW

feb0f5f069362bdf54b8d82f5095f582.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.98 грн
10+97.60 грн
100+66.55 грн
500+49.98 грн
1000+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP8D5N10C UMW

Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDP8D5N10C за ціною від 84.70 грн до 180.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP8D5N10C FDP8D5N10C onsemi fdp8d5n10c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.66 грн
50+114.89 грн
100+110.31 грн
500+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C FDP8D5N10C onsemi FDP8D5N10C-D.PDF MOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C FDP8D5N10C ONSEMI FDP8D5N10C-D.PDF Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C FDP8D5N10C ON Semiconductor fdp8d5n10cd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C FDP8D5N10C ON Semiconductor fdp8d5n10cd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C ON Semiconductor fdp8d5n10c-d.pdf feb0f5f069362bdf54b8d82f5095f582.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C fdp8d5n10c-d.pdf
FDP8D5N10C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.66 грн
50+114.89 грн
100+110.31 грн
500+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C FDP8D5N10C-D.PDF
FDP8D5N10C
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C FDP8D5N10C-D.PDF
FDP8D5N10C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C fdp8d5n10cd.pdf
FDP8D5N10C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C fdp8d5n10cd.pdf
FDP8D5N10C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10C fdp8d5n10c-d.pdf feb0f5f069362bdf54b8d82f5095f582.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.