Продукція > ONSEMI > FDP8D5N10C
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C ONSEMI

FDP8D5N10C-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP8D5N10C ONSEMI

Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDP8D5N10C за ціною від 79 грн до 197.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Виробник : onsemi fdp8d5n10c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.05 грн
10+ 145.24 грн
100+ 117.46 грн
500+ 97.98 грн
1000+ 83.9 грн
2000+ 79 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Виробник : onsemi FDP8D5N10C_D-2312598.pdf MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.27 грн
10+ 163.31 грн
50+ 134.08 грн
100+ 114.93 грн
250+ 108.32 грн
500+ 101.72 грн
1000+ 87.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP8D5N10C Виробник : ON Semiconductor fdp8d5n10c-d.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Виробник : ON Semiconductor fdp8d5n10c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній