Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDP8N50NZ
FDP8N50NZ

FDP8N50NZ onsemi / Fairchild

FDP8N50NZ_D-1808372.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET UNIFET2 500V
на замовлення 9944 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.31 грн
10+ 118.5 грн
100+ 80.58 грн
500+ 66.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP8N50NZ onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: UniFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm.

Інші пропозиції FDP8N50NZ за ціною від 109.66 грн до 136.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP8N50NZ FDP8N50NZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+136.34 грн
10+ 109.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP8N50NZ FDP8N50NZ Виробник : ON Semiconductor fdpf8n50nz.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8N50NZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8N50NZ FDP8N50NZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP8N50NZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній