
FDPC1012S-P ONSEMI

Description: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 37.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPC1012S-P ONSEMI
Description: POWERTRENCH POWER CLIP 25V ASYME, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: Powerclip-33.
Інші пропозиції FDPC1012S-P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDPC1012S-P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 |
товару немає в наявності |
||
FDPC1012S-P | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |