Продукція > ONSEMI > FDPC5018SG
FDPC5018SG

FDPC5018SG onsemi

fdpc5018sg-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power Clip 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPC5018SG onsemi

Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm, tariffCode: 85413000, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 29W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 29W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDPC5018SG за ціною від 59.26 грн до 128.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDPC5018SG FDPC5018SG ON Semiconductor fdpc5018sg-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.02 грн
25+73.84 грн
100+70.08 грн
250+63.83 грн
500+60.27 грн
1000+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ON Semiconductor fdpc5018sg-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.19 грн
188+75.02 грн
191+73.84 грн
194+70.08 грн
250+63.83 грн
500+60.27 грн
1000+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ON Semiconductor fdpc5018sg-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 17619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
10000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ON Semiconductor fdpc5018sg-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
10000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ON Semiconductor fdpc5018sg-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
10000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ON Semiconductor fdpc5018sg-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ON Semiconductor fdpc5018sg-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
10000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG onsemi fdpc5018sg-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power Clip 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.54 грн
10+88.43 грн
100+69.13 грн
500+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG onsemi fdpc5018sg-d.pdf MOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ONSEMI 2729283.pdf Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ONSEMI fdpc5018sg-d.pdf Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+75.02 грн
25+73.84 грн
100+70.08 грн
250+63.83 грн
500+60.27 грн
1000+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+76.19 грн
188+75.02 грн
191+73.84 грн
194+70.08 грн
250+63.83 грн
500+60.27 грн
1000+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 17619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
10000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
10000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
10000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
323+109.06 грн
500+98.15 грн
1000+90.51 грн
10000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power Clip 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.54 грн
10+88.43 грн
100+69.13 грн
500+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: onsemi
MOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG 2729283.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG fdpc5018sg-d.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.