.jpg "FDPC5018SG")
FDPC5018SG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 59.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPC5018SG onsemi
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm, tariffCode: 85413000, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 29W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 29W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDPC5018SG за ціною від 55.55 грн до 143.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPC5018SG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 29W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 29W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPC5018SG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDPC5018SG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDPC5018SG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 29W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 29W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDPC5018SG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power Clip 56 Part Status: Active |
на замовлення 8724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPC5018SG | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PT8+ N & PT8 N |
на замовлення 3679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDPC5018SG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |