Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDPC5030SG

FDPC5030SG

fdpc5030sg-d.pdf
Код товару: 139909
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDPC5030SG за ціною від 37.92 грн до 143.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDPC5030SGFDPC5030SG
FDPC5030SGFDPC5030SG
 FDPC5030SG ONSEMI fdpc5030sg-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Power dissipation: 23/25W
Case: PQFN8
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17/39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.03 грн
10+63.88 грн
100+55.47 грн
500+50.43 грн
1000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG FDPC5030SG onsemi fdpc5030sg-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG FDPC5030SG onsemi fdpc5030sg-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.04 грн
10+85.71 грн
100+57.98 грн
500+43.27 грн
1000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG FDPC5030SG onsemi fdpc5030sg-d.pdf MOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.38 грн
10+63.52 грн
100+42.11 грн
500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG fdpc5030sg-d.pdf
FDPC5030SGFDPC5030SG
FDPC5030SGFDPC5030SG
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Power dissipation: 23/25W
Case: PQFN8
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17/39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+76.03 грн
10+63.88 грн
100+55.47 грн
500+50.43 грн
1000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG fdpc5030sg-d.pdf
FDPC5030SG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG fdpc5030sg-d.pdf
FDPC5030SG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.04 грн
10+85.71 грн
100+57.98 грн
500+43.27 грн
1000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG fdpc5030sg-d.pdf
FDPC5030SG
Виробник: onsemi
MOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.38 грн
10+63.52 грн
100+42.11 грн
500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.