FDPC5030SG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 59.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPC5030SG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power Clip 56, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDPC5030SG за ціною від 37.17 грн до 115.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPC5030SG | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT8+ N & PT8 N |
на замовлення 4447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDPC5030SG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power Clip 56 Part Status: Active |
на замовлення 8075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDPC5030SG Код товару: 139909
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
FDPC5030SG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDPC5030SG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDPC5030SG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDPC5030SG | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: PQFN8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 17/39nC On-state resistance: 5/2.4mΩ Gate-source voltage: ±20/±12V Power dissipation: 23/25W Drain-source voltage: 30V Drain current: 56/84A Semiconductor structure: asymmetric кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDPC5030SG | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: PQFN8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 17/39nC On-state resistance: 5/2.4mΩ Gate-source voltage: ±20/±12V Power dissipation: 23/25W Drain-source voltage: 30V Drain current: 56/84A Semiconductor structure: asymmetric |
товару немає в наявності |