FDPC8012S onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 116.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPC8012S onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: Powerclip-33, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDPC8012S за ціною від 31.61 грн до 329.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDPC8012S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW, 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPC8012S | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench |
на замовлення 2928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPC8012S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 111973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDPC8012S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW, 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Active |
на замовлення 31951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDPC8012S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW, 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPC8012S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDPC8012S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDPC8012S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDPC8012S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDPC8012S | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 35/88A; 1.6/2W; PQFN8 Case: PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 8/25nC On-state resistance: 7/2.2mΩ Power dissipation: 1.6/2W Drain current: 35/88A Drain-source voltage: 25V Semiconductor structure: asymmetric Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDPC8012S | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 35/88A; 1.6/2W; PQFN8 Case: PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 8/25nC On-state resistance: 7/2.2mΩ Power dissipation: 1.6/2W Drain current: 35/88A Drain-source voltage: 25V Semiconductor structure: asymmetric Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |