Продукція > ONSEMI > FDPC8012S
FDPC8012S

FDPC8012S onsemi

fdpc8012s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+122.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPC8012S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: Powerclip-33, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDPC8012S за ціною від 110.67 грн до 345.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+122.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0000109688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+163.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi / Fairchild fdpc8012s-d.pdf MOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 8929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.38 грн
10+213.20 грн
100+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 28951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.47 грн
10+193.19 грн
100+141.73 грн
500+111.81 грн
1000+110.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.38 грн
10+219.78 грн
100+155.71 грн
500+120.48 грн
1000+112.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S Виробник : ONSEMI fdpc8012s-d.pdf FDPC8012S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.