FDPC8012S

FDPC8012S onsemi


fdpc8012s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+112.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPC8012S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: Powerclip-33, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDPC8012S за ціною від 101.98 грн до 318.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0000109688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 31951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.54 грн
10+178.05 грн
100+130.61 грн
500+103.03 грн
1000+101.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi / Fairchild fdpc8012s-d.pdf MOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 8929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.70 грн
10+212.69 грн
100+117.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.35 грн
10+202.51 грн
100+148.22 грн
500+125.20 грн
1000+107.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S Виробник : ONSEMI fdpc8012s-d.pdf FDPC8012S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.