Продукція > ONSEMI > FDPC8012S
FDPC8012S

FDPC8012S onsemi

fdpc8012s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+109.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPC8012S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: Powerclip-33, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDPC8012S за ціною від 29.00 грн до 258.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi / Fairchild FDPC8012S-D.PDF MOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.83 грн
10+80.98 грн
100+47.06 грн
500+37.93 грн
1000+34.16 грн
3000+30.33 грн
6000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf MOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.08 грн
10+80.98 грн
100+47.06 грн
500+37.23 грн
1000+34.23 грн
3000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.27 грн
10+84.14 грн
100+56.68 грн
500+42.15 грн
1000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0000109688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.85 грн
10+172.22 грн
100+126.32 грн
500+99.64 грн
1000+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S Виробник : ONN fdpc8012s-d.pdf
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : ON Semiconductor fdpc8012s.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S FDPC8012S Виробник : onsemi fdpc8012s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S Виробник : ONSEMI fdpc8012s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 35/88A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8/25nC
On-state resistance: 7/2.2mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Drain current: 35/88A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.