Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDPC8013S
FDPC8013S

FDPC8013S onsemi / Fairchild

FDPC8013S-D.PDF Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.45 грн
10+122.07 грн
100+72.93 грн
500+58.27 грн
1000+57.58 грн
3000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPC8013S onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Powerclip-33, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDPC8013S за ціною від 86.55 грн до 224.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPC8013S FDPC8013S Виробник : onsemi fdpc8013s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.70 грн
10+119.72 грн
100+86.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013S FDPC8013S Виробник : ON Semiconductor 3669757416262766fdpc8013s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013S FDPC8013S Виробник : ON Semiconductor 3669757416262766fdpc8013s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013S FDPC8013S Виробник : onsemi fdpc8013s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013S Виробник : ONSEMI fdpc8013s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 20/55A; 1.6/2W; PQFN8
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13/44nC
On-state resistance: 6.4/1.9mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 20/55A
Drain-source voltage: 30V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.