FDPF041N06BL1

FDPF041N06BL1 Fairchild Semiconductor


FAIR-S-A0002366280-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+82.18 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF041N06BL1 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FDPF041N06BL1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF041N06BL1 FDPF041N06BL1 Виробник : onsemi / Fairchild FDPF041N06BL1_D-2312926.pdf MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.