
FDPF085N10A onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 155.34 грн |
50+ | 101.97 грн |
100+ | 98.51 грн |
500+ | 87.25 грн |
1000+ | 80.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF085N10A onsemi
Description: ONSEMI - FDPF085N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33.3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33.3, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FDPF085N10A за ціною від 85.10 грн до 248.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF085N10A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF085N10A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF085N10A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF085N10A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 33.3 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF085N10A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FDPF085N10A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FDPF085N10A | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |