Продукція > ONSEMI > FDPF10N50UT
FDPF10N50UT

FDPF10N50UT onsemi

fdpf10n50ut-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V 8A N-Chan UniFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF10N50UT onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF10N50UT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDPF10N50UT FDPF10N50UT ONSEMI ONSM-S-A0003584391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UT ONSM-S-A0003584391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF10N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.