FDPF12N50FT Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF12N50FT Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 11.5, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 42, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 42, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDPF12N50FT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPF12N50FT | onsemi / Fairchild |
MOSFET 500V N-Channel |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDPF12N50FT |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel
MOSFET 500V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)