FDPF12N50NZ ON Semiconductor
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 41.38 грн |
| 50+ | 39.73 грн |
| 100+ | 39.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF12N50NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: UniFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDPF12N50NZ за ціною від 58.21 грн до 194.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPF12N50NZ | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDPF12N50NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDPF12N50NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDPF12N50NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UniFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDPF12N50NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V |
на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDPF12N50NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDPF12N50NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UNIFET2 500V N-CH MOSFET SINGLE GAGE |
товару немає в наявності |