Продукція > ONSEMI > FDPF12N50UT
FDPF12N50UT

FDPF12N50UT onsemi

fdpf12n50ut-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V 10A N-Chan Ultra FRFET
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF12N50UT onsemi

Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 10, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 42, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 42, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET Ultra FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDPF12N50UT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDPF12N50UT FDPF12N50UT onsemi fdpf12n50ut-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UT FDPF12N50UT ONSEMI FDPF12N50UT-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UT fdpf12n50ut-d.pdf
FDPF12N50UT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UT FDPF12N50UT-D.pdf
FDPF12N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.