
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 156.21 грн |
10+ | 137.90 грн |
100+ | 93.43 грн |
500+ | 77.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF14N30 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 300V 14A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDPF14N30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF14N30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDPF14N30 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Case: TO220FP Drain-source voltage: 300V Drain current: 8.4A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDPF14N30 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDPF14N30 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Case: TO220FP Drain-source voltage: 300V Drain current: 8.4A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |