FDPF14N30

FDPF14N30 onsemi / Fairchild


FDPF14N30_D-1808436.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.21 грн
10+137.90 грн
100+93.43 грн
500+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF14N30 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 300V 14A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF14N30

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF14N30 FDPF14N30 Виробник : ON Semiconductor fdpf14n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF14N30 FDPF14N30 Виробник : ONSEMI FDPF14N30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF14N30 FDPF14N30 Виробник : onsemi FDPF14N30.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF14N30 FDPF14N30 Виробник : ONSEMI FDPF14N30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.