Продукція > ONSEMI > FDPF15N65
FDPF15N65

FDPF15N65 ONSEMI


Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 63nC
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 38.5W
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.12 грн
10+148.41 грн
50+130.17 грн
100+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF15N65 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції FDPF15N65 за ціною від 79.22 грн до 271.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDPF15N65 FDPF15N65 ONSEMI Description: ONSEMI - FDPF15N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.62 грн
10+145.45 грн
100+124.56 грн
500+95.51 грн
1000+81.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.14 грн
50+127.57 грн
100+115.62 грн
500+88.86 грн
1000+82.54 грн
2000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FAIRCHILD
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF15N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+271.62 грн
10+145.45 грн
100+124.56 грн
500+95.51 грн
1000+81.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.14 грн
50+127.57 грн
100+115.62 грн
500+88.86 грн
1000+82.54 грн
2000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.