 
FDPF15N65 onsemi
                                                                                Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
            
                    Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 228.00 грн | 
| 50+ | 95.71 грн | 
| 100+ | 91.87 грн | 
| 500+ | 83.67 грн | 
| 1000+ | 80.54 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF15N65 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25. 
Інші пропозиції FDPF15N65 за ціною від 85.53 грн до 259.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDPF15N65 | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH | на замовлення 4068 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | FDPF15N65 | Виробник : ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF15N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 790 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
| FDPF15N65 | Виробник : FAIRCHILD | на замовлення 114000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
|   | FDPF15N65 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | FDPF15N65 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | FDPF15N65 | Виробник : ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |