Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDPF18N20FT
FDPF18N20FT

FDPF18N20FT onsemi / Fairchild

FDPF18N20FT-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UniFET 200V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.12 грн
10+69.63 грн
100+56.92 грн
500+48.14 грн
1000+44.94 грн
2500+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF18N20FT onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF18N20FT за ціною від 44.52 грн до 163.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF18N20FT FDPF18N20FT Виробник : ONSEMI fdpf18n20ft-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 41W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 41W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.83 грн
10+85.54 грн
50+67.93 грн
100+64.58 грн
250+63.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N20FT FDPF18N20FT Виробник : onsemi fdpf18n20ft-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.98 грн
50+72.99 грн
100+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N20FT FDPF18N20FT Виробник : onsemi fdpf18n20ft-d.pdf MOSFETs UniFET 200V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.38 грн
10+78.52 грн
100+61.10 грн
500+48.91 грн
1000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.