
FDPF18N20FT onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.19 грн |
50+ | 55.70 грн |
100+ | 54.36 грн |
500+ | 48.86 грн |
1000+ | 47.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF18N20FT onsemi
Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: UniFET FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDPF18N20FT за ціною від 47.23 грн до 141.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF18N20FT | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF18N20FT | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF18N20FT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FDPF18N20FT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FDPF18N20FT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FDPF18N20FT | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |