FDPF18N20FT ON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 54.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF18N20FT ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: UniFET FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDPF18N20FT за ціною від 44.45 грн до 147.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDPF18N20FT | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPF18N20FT | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UniFET 200V |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPF18N20FT | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDPF18N20FT | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
на замовлення 138087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDPF18N20FT | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDPF18N20FT | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDPF18N20FT | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
на замовлення 12429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDPF18N20FT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDPF18N20FT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDPF18N20FT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDPF18N20FT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 41W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 18A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 41W Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
FDPF18N20FT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDPF18N20FT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 41W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 18A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 41W Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC |
товару немає в наявності |