на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 149.89 грн |
10+ | 137.9 грн |
50+ | 118.59 грн |
100+ | 112.66 грн |
250+ | 107.39 грн |
500+ | 100.8 грн |
1000+ | 87.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF18N50 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDPF18N50 за ціною від 153.74 грн до 223.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDPF18N50 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
FDPF18N50 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50 кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
FDPF18N50 Код товару: 163486 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||
FDPF18N50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||
FDPF18N50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||
FDPF18N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
FDPF18N50 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||
FDPF18N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |