
FDPF18N50 ON Semiconductor
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 108.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF18N50 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38.5W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDPF18N50 за ціною від 84.82 грн до 265.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDPF18N50 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDPF18N50 Код товару: 163486
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |