FDPF18N50

FDPF18N50 ON Semiconductor


fdpf18n50t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF18N50 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38.5W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDPF18N50 за ціною від 89.40 грн до 361.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.01 грн
3+191.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+274.83 грн
10+136.08 грн
100+133.41 грн
500+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : onsemi FDPF18N50T-D.PDF MOSFETs 500V N-CH MOSFET
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.45 грн
10+126.74 грн
100+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : onsemi fdpf18n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 6238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.60 грн
50+143.13 грн
100+129.77 грн
500+99.83 грн
1000+92.77 грн
2000+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+337.77 грн
74+173.16 грн
100+155.66 грн
500+122.19 грн
1000+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.05 грн
50+185.10 грн
100+166.39 грн
500+130.61 грн
1000+116.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 Виробник : ON-Semicoductor fdpf18n50t-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+185.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50
Код товару: 163486
Додати до обраних Обраний товар

fdpf18n50t-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.