на замовлення 1000 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.34 грн |
| 50+ | 186.1 грн |
| 100+ | 138.71 грн |
| 500+ | 123.52 грн |
| 1000+ | 108.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF20N50FT onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDPF20N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 20, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 38.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 38.5, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FDPF20N50FT за ціною від 116.58 грн до 116.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDPF20N50FT | Виробник : Fairchild |
 Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ftкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FDPF20N50FT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
FDPF20N50FT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||
|
|
FDPF20N50FT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
FDPF20N50FT | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF20N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 38.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 38.5 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||
 |
FDPF20N50FT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
FDPF20N50FT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
FDPF20N50FT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |