Продукція > ONSEMI > FDPF39N20
FDPF39N20

FDPF39N20 onsemi

fdpf39n20tldtu-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.77 грн
50+82.88 грн
100+80.36 грн
500+66.83 грн
1000+61.71 грн
2000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF39N20 onsemi

Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDPF39N20 за ціною від 63.01 грн до 214.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF39N20 FDPF39N20 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+212.72 грн
10+108.41 грн
100+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 FDPF39N20 Виробник : onsemi / Fairchild FDPF39N20TLDTU_D-2312758.pdf MOSFETs 200V N-CH MOSFET
на замовлення 16742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.39 грн
10+141.45 грн
100+86.39 грн
500+69.48 грн
1000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 Виробник : Fairchild fdpf39n20tldtu-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 66mOhm; 39A; 37W; -55°C ~ 150°C; FDPF39N20 TFDPF39n20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 FDPF39N20
Код товару: 101352
Додати до обраних Обраний товар

fdpf39n20tldtu-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 FDPF39N20 Виробник : ON Semiconductor fdp39n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 FDPF39N20 Виробник : ON Semiconductor fdpf39n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 FDPF39N20 Виробник : ONSEMI FDPF39N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 FDPF39N20 Виробник : ONSEMI FDPF39N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.