FDPF39N20TLDTU ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 218+ | 139.97 грн |
| 500+ | 133.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF39N20TLDTU ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDPF39N20TLDTU за ціною від 126.79 грн до 139.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDPF39N20TLDTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDPF39N20TLDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET UniFET200V LDTU Form |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
 |
FDPF39N20TLDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 39A Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FDPF39N20TLDTU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |