Технічний опис FDPF4D5N10C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 37.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FDPF4D5N10C за ціною від 235.91 грн до 431.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPF4D5N10C | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDPF4D5N10C | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDPF4D5N10C | onsemi |
MOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FDPF4D5N10C | ON Semiconductor |
|
на замовлення 910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FDPF4D5N10C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDPF4D5N10C |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 255.24 грн |
| FDPF4D5N10C |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 431.70 грн |
| 10+ | 349.52 грн |
| 100+ | 282.81 грн |
| 500+ | 235.91 грн |
| FDPF4D5N10C |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm
MOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDPF4D5N10C |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| FDPF4D5N10C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDPF4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)