FDPF51N25 ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 71.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF51N25 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDPF51N25 за ціною від 78.76 грн до 205.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDPF51N25 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDPF51N25 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 28 A, 0.06 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 117 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDPF51N25 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55°C ~ 150°C; FDPF51N25 TFDPF51n25 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDPF51N25 Код товару: 128803 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
FDPF51N25 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
FDPF51N25 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
FDPF51N25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 30A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 48mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
FDPF51N25 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||
FDPF51N25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 30A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 48mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |