Технічний опис FDPF55N06 Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDPF55N06 за ціною від 67.10 грн до 204.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDPF55N06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDPF55N06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDPF55N06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDPF55N06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDPF55N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.8A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.22Ω Pulsed drain current: 220A Kind of package: tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDPF55N06 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDPF55N06 | onsemi |
MOSFETs 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET |
на замовлення 9666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDPF55N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 149+ | 94.78 грн |
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 104.35 грн |
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 169.01 грн |
| 10+ | 140.84 грн |
| 100+ | 111.73 грн |
| 250+ | 102.30 грн |
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 169.01 грн |
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 220A
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 220A
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 169.56 грн |
| 10+ | 104.97 грн |
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.12 грн |
| 10+ | 127.46 грн |
| 50+ | 97.81 грн |
| 100+ | 82.82 грн |
| 500+ | 67.10 грн |
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET
MOSFETs 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET
на замовлення 9666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








