
FDPF55N06 ON Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
149+ | 81.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF55N06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDPF55N06 за ціною від 50.96 грн до 183.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF55N06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF55N06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF55N06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF55N06 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF55N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 7542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF55N06 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF55N06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
FDPF55N06 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|