Продукція > ONSEMI > FDPF55N06
FDPF55N06

FDPF55N06 onsemi

fdpf55n06-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.41 грн
50+84.14 грн
100+75.68 грн
500+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF55N06 onsemi

Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDPF55N06 за ціною від 56.10 грн до 208.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDPF55N06 FDPF55N06 onsemi fdpf55n06-d.pdf MOSFETs 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.19 грн
10+89.97 грн
100+70.34 грн
500+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI 2729279.pdf Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.04 грн
10+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf
FDPF55N06
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+184.19 грн
10+89.97 грн
100+70.34 грн
500+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 2729279.pdf
FDPF55N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+208.04 грн
10+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.