FDPF55N06 ON Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 149+ | 83.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF55N06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDPF55N06 за ціною від 51.79 грн до 189.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPF55N06 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
на замовлення 124798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDPF55N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDPF55N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDPF55N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.8A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDPF55N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDPF55N06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 15290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDPF55N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
на замовлення 3641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDPF55N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.8A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDPF55N06 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET |
на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDPF55N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |