Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDPF5N50T
FDPF5N50T

FDPF5N50T Fairchild Semiconductor

FAIRS46299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 57864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
485+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 485
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF5N50T Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF5N50T за ціною від 26.06 грн до 109.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDPF5N50T FDPF5N50T Виробник : onsemi / Fairchild FDPF5N50T_D-2313188.pdf MOSFET 500V N-Channel
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.04 грн
10+ 96.74 грн
100+ 65.96 грн
500+ 54.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF5N50T Виробник : ONSEMI 2907399.pdf Description: ONSEMI - FDPF5N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.15 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 29
FDPF5N50T FDPF5N50T Виробник : ON Semiconductor 3677618347078542fdp5n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF5N50T FDPF5N50T Виробник : onsemi fdpf5n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товар відсутній