Продукція > ONSEMI > FDPF5N50UT
FDPF5N50UT

FDPF5N50UT onsemi

fdpf5n50ut-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 7077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF5N50UT onsemi

Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET Ultra FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDPF5N50UT за ціною від 47.47 грн до 63.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDPF5N50UT FDPF5N50UT Fairchild Semiconductor FAIRS46318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 17120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
470+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT FDPF5N50UT ON Semiconductor fdpf5n50ut-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+63.42 грн
1000+58.48 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT FDPF5N50UT ON Semiconductor fdpf5n50ut-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+63.42 грн
1000+58.48 грн
10000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT FDPF5N50UT onsemi FAIRS46318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdpf5n50ut-d.pdf MOSFETs 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT FDPF5N50UT ONSEMI FAIRS46318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdpf5n50ut-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 17282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT FAIRS46318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF5N50UT
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 17120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
470+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT fdpf5n50ut-d.pdf
FDPF5N50UT
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
557+63.42 грн
1000+58.48 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT fdpf5n50ut-d.pdf
FDPF5N50UT
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
557+63.42 грн
1000+58.48 грн
10000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT FAIRS46318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdpf5n50ut-d.pdf
FDPF5N50UT
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50UT FAIRS46318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdpf5n50ut-d.pdf
FDPF5N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 17282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.