FDPF5N50UT onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 39.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF5N50UT onsemi
Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET Ultra FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDPF5N50UT за ціною від 39.80 грн до 165.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPF5N50UT | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 17120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDPF5N50UT | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDPF5N50UT | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDPF5N50UT | onsemi |
MOSFETs 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET |
на замовлення 71 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDPF5N50UT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 17282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDPF5N50UT |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 17120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 470+ | 48.72 грн |
| FDPF5N50UT |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 557+ | 65.83 грн |
| 1000+ | 60.70 грн |
| FDPF5N50UT |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 557+ | 65.83 грн |
| 1000+ | 60.70 грн |
| 10000+ | 54.13 грн |
| FDPF5N50UT |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET
MOSFETs 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.02 грн |
| 10+ | 103.83 грн |
| 100+ | 60.49 грн |
| 500+ | 49.05 грн |
| 1000+ | 43.86 грн |
| 2000+ | 41.46 грн |
| 5000+ | 39.80 грн |
| FDPF5N50UT |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 17282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)