FDPF7N60NZ ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF7N60NZ ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDPF7N60NZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
FDPF7N60NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V NChannel MOSFET UniFET-II |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDPF7N60NZ |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NChannel MOSFET UniFET-II
MOSFETs 600V NChannel MOSFET UniFET-II
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



