Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDPF8N50NZ
FDPF8N50NZ

FDPF8N50NZ onsemi / Fairchild

FDPF8N50NZ_D-2313220.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET UniFET2 500V N-chan
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.92 грн
10+129.87 грн
100+91.03 грн
500+84.18 грн
1000+73.92 грн
2000+69.81 грн
5000+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF8N50NZ onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF8N50NZ за ціною від 92.42 грн до 184.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ Виробник : ON Semiconductor fdpf8n50nz.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+171.95 грн
90+142.80 грн
109+117.66 грн
250+107.05 грн
500+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ Виробник : ON Semiconductor fdpf8n50nz.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+184.23 грн
10+153.00 грн
100+126.06 грн
250+114.70 грн
500+99.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ Виробник : onsemi FDP%28F%298N50NZ.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.