FDPF8N60ZUT ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF8N60ZUT ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.5W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDPF8N60ZUT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPF8N60ZUT | onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V 6.5A N-Chan FRFET UniFET |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDPF8N60ZUT |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 6.5A N-Chan FRFET UniFET
MOSFET 600V 6.5A N-Chan FRFET UniFET
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)