Технічний опис FDR6674A FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDR6674A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDR6674A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDR6674A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FDR6674A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDR6674A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |