Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS2170N3

FDS2170N3 Fairchild Semiconductor

Name: FDS2170N3
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 11541449-3
Price: 21723.90 UAH
Availability: InStock

FAIRS43454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V

на замовлення 2627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
145+	149.82 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDS2170N3 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-SO FLMP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції FDS2170N3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDS2170N3	Виробник : FAIRCHILD	SO-8	на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDS2170N3	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDS2170N3	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.