Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS2170N7

FDS2170N7 Fairchild Semiconductor

Name: FDS2170N7
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 14559473-3
Price: 22059.3 UAH
Availability: InStock

FAIRS21818-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V

на замовлення 23636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
139+	158.70 грн

Мінімальне замовлення: 139

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDS2170N7 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO FLMP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FDS2170N7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDS2170N7	Виробник : FAIRCHAL	SOP8	на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDS2170N7	Виробник : FAIRCHILD	SO-8	на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDS2170N7	Виробник : FDS		на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDS2170N7	Виробник : NS	2004 SOP	на замовлення 2190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDS2170N7	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDS2170N7	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.