Продукція > ONSEMI > FDS2582
FDS2582

FDS2582 onsemi

fds2582-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2582 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS2582 за ціною від 38.98 грн до 150.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS2582 FDS2582 ON Semiconductor fds2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.73 грн
5000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 ON Semiconductor fds2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.05 грн
5000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 ONSEMI FDS2582.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 146mΩ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.46 грн
10+81.26 грн
50+67.86 грн
100+55.29 грн
500+50.27 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 onsemi fds2582-d.pdf MOSFETs 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+149.84 грн
10+76.33 грн
100+54.71 грн
500+46.55 грн
1000+43.43 грн
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 onsemi fds2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.34 грн
10+92.67 грн
50+70.03 грн
100+58.84 грн
500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.73 грн
5000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.05 грн
5000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582.pdf
FDS2582
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 146mΩ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.46 грн
10+81.26 грн
50+67.86 грн
100+55.29 грн
500+50.27 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.84 грн
10+76.33 грн
100+54.71 грн
500+46.55 грн
1000+43.43 грн
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.34 грн
10+92.67 грн
50+70.03 грн
100+58.84 грн
500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.