FDS2582 ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS2582 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDS2582 за ціною від 30.45 грн до 137.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS2582 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS2582 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 19193 шт: термін постачання 587-596 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS2582 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V |
на замовлення 5466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS2582 | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS2582 | Виробник : ONSEMI |
FDS2582 SMD N channel transistors |
на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDS2582 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDS2582 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDS2582 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |