Продукція > FAIRCHILD > FDS2582
FDS2582

FDS2582 Fairchild

info-tfds2582.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2582 Fairchild

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS2582 за ціною від 37.57 грн до 134.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS2582 FDS2582 onsemi fds2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 ON Semiconductor fds2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.06 грн
5000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 ON Semiconductor fds2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.37 грн
5000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 ONSEMI FDS2582.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 onsemi fds2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.06 грн
10+82.46 грн
100+55.47 грн
500+41.22 грн
1000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 onsemi fds2582-d.pdf MOSFETs 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.06 грн
5000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.37 грн
5000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582.pdf
FDS2582
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.06 грн
10+82.46 грн
100+55.47 грн
500+41.22 грн
1000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
FDS2582
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.