Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS2582
FDS2582

FDS2582 ON Semiconductor

fds2582cn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2582 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS2582 за ціною від 31.53 грн до 143.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS2582 FDS2582 Виробник : onsemi fds2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9D2088EB2E259&compId=FDS2582.pdf?ci_sign=f3b3e36a204c7bc74708c4503f4a92a9c7604501 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.70 грн
7+65.37 грн
19+50.22 грн
51+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9D2088EB2E259&compId=FDS2582.pdf?ci_sign=f3b3e36a204c7bc74708c4503f4a92a9c7604501 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.84 грн
5+81.46 грн
19+60.27 грн
51+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 Виробник : onsemi / Fairchild FDS2582_D-2312693.pdf MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 587-596 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.93 грн
10+95.93 грн
100+64.90 грн
500+53.57 грн
1000+43.55 грн
2500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 Виробник : onsemi fds2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.22 грн
10+88.09 грн
100+59.26 грн
500+44.03 грн
1000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 Виробник : Fairchild fds2582-d.pdf N-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 Виробник : ON Semiconductor fds2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 Виробник : ON Semiconductor fds2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 Виробник : ON Semiconductor fds2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.