на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 56.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS2670 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDS2670 за ціною від 54.86 грн до 196.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS2670 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2670 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2670 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2670 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 N-CH 200V |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2670 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2670 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V |
на замовлення 7503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2670 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDS2670 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS2670 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS2670 | Виробник : FDS |
SOP-8 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS2670 | Виробник : FSC |
|
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS2670 | Виробник : FSC |
09+ SO-8 |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS2670 | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 1618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDS2670 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDS2670 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDS2670 | Виробник : ONSEMI |
FDS2670 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |